Myongji University Microsystems Laboratory Directed by Prof. Sang Kug Chung

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2011.12.02 (15:19:50)

스마트폰, 태블릿PC 등 모바일 제품 수요가 늘어나면서 이들의 외장메모리로 쓰이는 낸드플래시 성능이 크게 향상되고 있다.

삼성전자는 20나노급 64기가비트(Gb) 3비트(bit) 낸드플래시를 이달 초부터 세계 최초로 양산하기 시작했다고 13일 밝혔다.

이 제품은 셀 1개당 3비트 데이터를 저장할 수 있어 셀 1개당 1비트 데이터를 저장하는 SLC(싱글레벨셀) 대비 약 3배 많은 데이터를 저장할 수 있다.

이는 칩 1개당 8기가바이트(GB) 데이터를 저장하는 수준이다.

삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 30나노급 32기가비트 3비트 낸드플래시를 양산한 바 있다.

20나노급 64기가비트 3비트 낸드플래시는 30나노급 32기가비트 3비트 제품에 비해 생산성이 60% 높다. 신호 한 번에 데이터 두 번을 쏴주는 `토글 DDR(Double Data Rate)` 방식을 적용해 빠르고 안정적인 데이터 전송이 가능하다.

김세진 삼성전자 반도체사업부 메모리전략마케팅팀 상무는 "20나노급 64기가비트 3비트 낸드플래시를 양산함으로써 스마트폰, 태블릿PC, SSD(솔리드스테이트드라이브), USB 메모리, SD카드 등에 쓰이는 대용량 메모리 솔루션이 강화됐다"고 말했다.

삼성전자는 올해 30나노에서 20나노로 낸드플래시 공정을 개선하는 중이며 내년에는 20나노급 낸드플래시를 주력으로 생산할 계획이다.

[황시영 기자]

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